Galaxy S9: Počela proizvodnja komponenti | MONDOBA

  • Izdanje: Potvrdi
Čitaoci reporteri

ČITAOCI REPORTERI

Videli ste nešto zanimljivo?

Ubacite video ili foto

Možete da ubacite do 3 fotografije ili videa. Ne smije biti više od 25 MB.

Poruka uspješno poslata

Hvala što ste poslali vijest.

Dodatno
Izdanje: Potvrdi

Ukucajte željeni termin u pretragu i pritisnite ENTER

Vijesti

Galaxy S9: Počela proizvodnja komponenti

Autor mondo.rs
Autor mondo.rs

Samsung je počeo proizvodnju nekoliko komponenti, koje će se verovatno naći u modelima Galaxy S9 i Galaxy S9+.

Izvor: MONDO portal

KompanijaSamsung Electronics počinje proizvodnju prvog ugrađenog, univerzalnog Flash Storage (eUFS) rešenja od 512 gigabajta (GB) za mobilne uređaje nove generacije. Upotrebom Samsung-ovih najnovijih 64-slojnih 512-gigabitnih (Gb) V-NAND čipova, novi 512 GB eUFS paket pruža ogroman kapacitet skladištenja i izvanredne performanse za pametne telefone i tablete.

Samsungov novi 512 GB UFS koji se sastoji od osam 64-slojnih 512 Gb V-NAND čipova i kontrolnog čipa, zajedno uklopljenih, što udvostručuje gustinu prethodnog 48-slojnog 256 GB eUFS-a koji se temelji na V-NAND-u, u istoj količini prostora kao i paket od 256 GB. Povećani kapacitet skladištenja eUFS-a omogućiće znatno šire iskustvo korišćenja pametnih telefona. Na primer, novi visoki kapacitet eUFS omogućiće pametnom telefonu da uskladišti oko 130 4K Ultra HD (3.840 x 2.160) video zapisa u trajanju od 10 minuta, što je desetostruko više u odnosu na 64 GB eUFS, koji može da skladišti do 13 video zapisa iste veličine.

Da bi se pojačale performanse i energetski učinak novog 512 GB eUFS-a, Samsung je predstavio novi skup tehnologija. Napredno 64-slojno strujno kolo od 512 Gb V-NAND i nova tehnologija upravljanja energijom u kontroloru od 512GB eUFS smanjuju potrošnju energije, što je posebno važno, jer novo 512 GB eUFS rešenje sadrži dvostruko više ćelija u poređenju sa 256 GB eUFS. Osim toga, kontrolni čip 512 GB eUFS-a ubrzava proces mapiranja prilikom pretvaranja logičkih blok adresa u adrese fizičkih blokova.

Samsung-ov 512 GB eUFS takođe ima snažne performanse za čitanje i pisanje. Sa svojim sekvencijalnim čitanjima i zapisima, koji dosežu do 860 megabajta u sekundi (MB / s) i 255 MB / s, ugrađena memorija od 512 GB omogućuje prenos video zapisa od 5 GB, koji je ekvivalent Full HD na SSD za otprilike šest sekundi, više od osam puta brže nego tipična microSD kartica.

Za slučajne operacije, novi eUFS može čitati 42.000 IOPS i napisati 40.000 IOPS. Na temelju eUFS-ovih brzih slučajnih zapisa, koji su oko 400 puta brži od 100 IOPS brzine konvencionalne microSD kartice, mobilni korisnici mogu da uživaju u savršenim multimedijalnim iskustvima, kao što su kontinuirano fotografisanje u visokoj rezoluciji, kao i traženje datoteka i preuzimanje video zapisa u dualnom - app načinu gledanja.

Samsung Galaxy S9 proizvodnja počinje

Slično tome, Samsung namerava da poveća obim proizvodnje svojih 64-slojnih 512 Gb V-NAND čipova, uz proširenje svoje 256 Gb V-NAND proizvodnje. To bi trebalo da zadovolji povećanje potražnje za naprednom ugrađenom mobilnom memorijom, kao i za vrhunske SSD i prenosne memorijske kartice visoke gustine i performansi.

Uz novi tip memorijskog čipa, Samsung je najavio i proizvodnju novog Exynos čipseta, koji će se naći u Galaxy S9 seriji telefona. Radi se o 10nm LPP čipsetu Exynos 9810, koji će imati 30 odsto više snage, trošiće manje energije, a nudiće 4K 60 fps video snimanje i reprodukciju, uz brzinu prenosa podataka do 1.2 Gbps. Samsung još uvek nije potvrdio sve detalje, ali je masovna proizvodnja definitivno počela, a u novim Samsung Galaxy S9 uređajima očekujemo da vidimo i Snapdragon 845 čipset, koji je i zvanično najavljen početkom decembra.

Komentari 0

Vaš komentar je proslijeđen moderatorskom timu i biće vidljiv nakon odobrenja.

Slanje komentara nije uspjelo.

Nevalidna CAPTCHA

RECENZIJE

TIPS & TRICKS