IBM je sa partnerima razvio novi proces proizvodnje tranzistora, koji bi trebali biti osnova za 5 nm čipove.
IBM je sa svojim partnerima, Globalfoundries i Samsung-om razvio proces proizvodnje tranzistora koji bi trebao popločati put za 5 nm čipove. I dok je tim gravirao čip koristeći istu ekstremnu ultraljubičastu litografiju (EUV) koja se koristi za predstojeće 7 nm čipove, odbacio je uobičajeni FinFET (fin field effect) dizajn tranzistora u korist složenih silikonskih nanoploča. Ova promena čini mogućim fino podešavanje individualnih kola da im se maksimizuju performanse, pošto su nagurani u neverovatno mali prostor. Koliko mali? Na 5 nm, grupa kaže da može da ubaci 30 milijardi tranzistora u čip veličine nokta, što nije nimalo loše kada se uzme u obzir da je 7 nm čip sadržavao 20 milijardi tranzistora pre par godina.
IBM vidi ovu tehniku da pomaže sopstvenim kognitivnim računarskim naporima, kao i upotrebu u Internet of Things i drugim zadacima sa puno podataka. Međutim, ovo slika lepu sliku za budućnost mobilnih uređaja, verovatno će telefoni imati dva do tri puta manju potrošnju baterije od trenutnih uređaja, što i ne iznenađuje, jer će budući hardver biti brži i u mogućnosti da izvuče uvek više iz svakog punjenja, prenosi Engadget.
Samo nemojte očekivati komercijalne primere još neko vreme. Imajući u vidu da nisu izašli uređaji ni sa 7 nm čipovima, koji se očekuju najranije 2018. godine, verovatno će proći dve ili više godina dok 5 nm proces ne stigne. Ipak činjenica da je 5 nm u planu je bitna. Dizajneri čipova neće morati da ponovo izmišljaju točak da dobiju značajna unapređenja, a vi nećete morati brinuti da će performanse uređaja zastareti barem za još dve godine.